IRF7469TRPBF vs IRFH7084TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7469TRPBF por Infineon e IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7469TRPBF IRFH7084TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,37 $0,45
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Livre de halogênio — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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