IRFB4110PBF vs IRF1407PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4110PBF por Infineon y IRF1407PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4110PBF IRF1407PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $0,86
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

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