IRFB4110PBF vs IRF1407PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4110PBF par Infineon et IRF1407PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4110PBF IRF1407PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,86
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fiches techniques et ressources

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