IRFB4410PBF vs IRFB4020PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4410PBF por Infineon y IRFB4020PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4410PBF IRFB4020PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,15 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 88 A (Tc) —
Continuous Drain Current (Id) @ 100C [DATA_NEEDED: Id @ 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
RDS(on) max @ VGS=10V 10 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) 200 W (Tc) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (Tj) —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated —
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Series HEXFET —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — 175 C (max)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

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