IRFR1018ETRPBF vs IRFR3806TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR1018ETRPBF por Infineon y IRFR3806TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR1018ETRPBF IRFR3806TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,36 $0,52
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 22 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Encapsulado TO-252AA (D-Pak) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 —
Avalanche Rated Yes Yes (HEXFET family)
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Encapsulado / Carcasa — TO-252AA (DPAK)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)

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