IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR2405TRLPBF por Infineon y IRFR4620TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $1,72
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Encapsulado / Carcasa — TO-252AA (DPAK)
Temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — 1 (Unlimited)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización