IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRLPBF par Infineon et IRFR4620TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $1,72
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) —
Boîtier TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Boîtier / Format — TO-252AA (DPAK)
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1 (Unlimited)

Fiches techniques et ressources

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