IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR9024NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3710ZTRLPBF por Infineon y IRFR9024NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3710ZTRLPBF IRFR9024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,17
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (Gen 5)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC 12.7 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (TJ) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Polarity — P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
Corriente de drenador pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Recuento de pines — 3

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