IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR9024NTRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR3710ZTRLPBF 제조: Infineon 및 IRFR9024NTRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR3710ZTRLPBF IRFR9024NTRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $0.17
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (Gen 5)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC 12.7 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
패키지 TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
동작 온도 -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Polarity — P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
핀 수 — 3

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