IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5305TRLPBF por Infineon y IRF5305STRRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5305TRLPBF IRF5305STRRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,62
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (Pb-free suffix)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Packaging — Tape & Reel (TR)
Polarity — P-Channel

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