IRFS4010TRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFS4010TRLPBF por Infineon y IRLZ34NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFS4010TRLPBF IRLZ34NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,58
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] Logic-level (5 V drive compatible)
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Nivel MSL 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)

Hojas de datos y recursos

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