IRFS4010TRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFS4010TRLPBF par Infineon et IRLZ34NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFS4010TRLPBF IRLZ34NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,58
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] Logic-level (5 V drive compatible)
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Niveau MSL 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)

Fiches techniques et ressources

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