IRFU5305PBF vs IRFR5305TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFU5305PBF por Infineon y IRFR5305TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFU5305PBF IRFR5305TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,38
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
Encapsulado IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) Yes (fully avalanche rated)
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

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