IRFZ44NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ44NSTRLPBF por Infineon y IRF540NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ44NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,93 $0,74
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C
Encapsulado D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

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