IRFZ44NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFZ44NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF540NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFZ44NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.93 $0.74
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
動作温度範囲 -55C to +175C -55 C to +175 C
パッケージ D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

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