IRFZ44NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ44NSTRLPBF por Infineon y IRFZ44NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,93 $0,65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 42 nC
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-pin + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET HEXFET (Advanced Process)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

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