IRFZ44NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ44NSTRLPBF par Infineon et IRFZ44NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,93 $0,65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 42 nC
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-pin + tab)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET HEXFET (Advanced Process)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Fiches techniques et ressources

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