IRLB4030PBF vs IRFB4310PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLB4030PBF por Infineon y IRFB4310PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLB4030PBF IRFB4310PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $1,95
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm 7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC 170 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulado TO-220AB TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (StrongIRFET family) HEXFET (IR MOSFET)
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes (Pb-free PBF suffix)

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