IRLB4030PBF vs IRFB4310PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLB4030PBF por Infineon e IRFB4310PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLB4030PBF IRFB4310PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $1,95
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm 7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC 170 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento TO-220AB TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (StrongIRFET family) HEXFET (IR MOSFET)
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes (Pb-free PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação