IRLML6246TRPBF vs IRLML0030TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLML6246TRPBF por Infineon y IRLML0030TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ Activo
Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLML6246TRPBF IRLML0030TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) IR HEXFET Power MOSFET
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Encapsulado SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 5.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V optimized)
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard
Estado RoHS — Compliant

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