IRLML6246TRPBF vs IRLML0030TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML6246TRPBF por Infineon e IRLML0030TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML6246TRPBF IRLML0030TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) IR HEXFET Power MOSFET
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Encapsulamento SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 5.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V optimized)
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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