IRLR3410TRPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3410TRPBF por Infineon y IRLR3636TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3410TRPBF IRLR3636TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,81 $0,74
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Yes (PBF suffix)
Nivel MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

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