IRLR3410TRPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRPBF par Infineon et IRLR3636TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRPBF IRLR3636TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,74
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Yes (PBF suffix)
Niveau MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

Fiches techniques et ressources

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