IRLTS2242TRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLTS2242TRPBF por Infineon y IRFR1205TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLTS2242TRPBF IRFR1205TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,14 $0,49
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2 V min, 4 V max
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Encapsulado TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización