IRLTS2242TRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLTS2242TRPBF par Infineon et IRFR1205TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLTS2242TRPBF IRFR1205TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,49
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2 V min, 4 V max
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Boîtier TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Fiches techniques et ressources

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