IRS2005STRPBF vs IRS2008STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2005STRPBF por Infineon y IRS2008STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2005STRPBF IRS2008STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,18 $0,33
Función Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous)
Channel Type Independent Synchronous (independent inputs)
Número de salidas 2 2 (high-side + low-side)
Logic Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.6 A —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range min/max] —
Undervoltage Lockout VCC and VBS UVLO integrated —
Input Compatibility 3.3 V / 5 V logic-level inputs —
Encapsulado / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Product Status Active —
Estado RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRS2008STRPBF
Tipo de salida — Non-Inverting
Logic Input Compatibility — TTL/CMOS
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V (per datasheet family)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 200 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
VCC UVLO Threshold — Yes (per datasheet family)
VBS UVLO Threshold — Yes (per datasheet family)
Shutdown Pin (SD) — Yes (active logic-level shutdown)
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C (industrial)
Encapsulado — 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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