IRS21091STRPBF vs IRS21867STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS21091STRPBF por Infineon y IRS21867STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS21091STRPBF IRS21867STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $1,55
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V —
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
Encapsulado 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R)
Packaging Tape & Reel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Topología — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Offset Voltage (High-Side, max) — 600 V
Output Current (Source/Sink, typical) — 4 A / 4 A
Supply Voltage VCC — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply VBS — up to VCC + 600 V (floating)
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) — 22 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 18 ns
Turn-On Propagation Delay (typ) — 170 ns
Turn-Off Propagation Delay (typ) — 170 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Operating Temperature Range (TJ) — -40C to +150C
Tipo de montaje — Surface Mount
Nivel MSL — 2
Lead-Free Status — Lead Free
Channel Count — 2 (1 high-side + 1 low-side)
Input Type — Non-Inverting (HIN, LIN)

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