IRS2112STRPBF vs IRS2110SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2112STRPBF por Infineon y IRS2110SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2112STRPBF IRS2110SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,88 $0,72
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL —
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) —
Encapsulado 16-pin SOIC wide-body 16-SOIC (SOIC-16 W)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Nivel MSL 2 (1 year floor life) 3
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Configuración de salida — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis

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