ISC009N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC009N06NM6ATMA1 por Infineon y ISZ072N06NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ Activo
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC009N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C 344 A —
Power Dissition (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 221 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Encapsulado PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Disipación de potencia (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Technology — OptiMOS 6 trench MOSFET

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