ISC009N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC009N06NM6ATMA1 par Infineon et ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ Actif
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC009N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C 344 A —
Power Dissition (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 221 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Boîtier PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Technology — OptiMOS 6 trench MOSFET

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