ISC011N03L5SATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC011N03L5SATMA1 por Infineon y IAUCN04S6N009TATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC011N03L5SATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,47 $1,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 100 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C 96 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (TJ) —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Gate Drive Logic-level compatible —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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