ISC011N03L5SATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N03L5SATMA1 par Infineon et IAUCN04S6N009TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N03L5SATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,47 $1,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 100 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C 96 W —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Gate Drive Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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