ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L110ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC011N04NM7VATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,41 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS™ (Trench)
Encapsulado PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
Nivel MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) — 50 A
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 58 W
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) — 11 mΩ
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS_max]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS_th]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Q_G_total]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Estado RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101 expected per family)
Polarity — Single N-Channel
Configuration — Single

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización