ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon y BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,62 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +175 C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 °C to +150 °C |
| Nivel MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |