ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC024N08NM7ATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC024N08NM7ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8 (SSO8) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Encapsulado — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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