ISC037N12NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon y IQD005N04NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC037N12NM6ATMA1 IQD005N04NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,62 $0,82
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 58 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 610 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 0.5 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]

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