ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISC056N08NM6ATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISC056N08NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,78 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-TDSON-8 FL |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +175°C | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Número de pines | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55 °C to +175 °C |