ISC058N04NM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC058N04NM5ATMA1 por Infineon y ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC058N04NM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,60 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Recuento de pines — 8
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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