ISC058N04NM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC058N04NM5ATMA1 メーカー: Infineon および ISC011N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC058N04NM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.60 $0.74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5
動作温度範囲 -55C to +175C -55C to +175C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
ピン数 — 8
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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