ISC300N20NM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC300N20NM6ATMA1 por Infineon y BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC300N20NM6ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,15 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 200V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A —
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V 4 V (max, typical)
Encapsulado PG-TDSON-8 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Operating Mode Enhancement —
Estado RoHS Compliant —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización