ISC300N20NM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC300N20NM6ATMA1 от Infineon и BSC076N04NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC300N20NM6ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,15 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | 4 V (max, typical) |
| Корпус | PG-TDSON-8 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |