ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISZ072N06NM6ATMA1 por Infineon y IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISZ072N06NM6ATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,38 | $1,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55C to +175C (junction) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |