ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon y IPD068N10N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ230N10NM6ATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) 2.0 V to 4.0 V (typical)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

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