K3KL9L90DM-MGCU vs K3KLALA0DM-MGCU Comparación

Comparación detallada lado a lado de K3KL9L90DM-MGCU por Samsung Electronics y K3KLALA0DM-MGCU por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K3KL9L90DM-MGCU K3KL9L90DM-MGCU - LPDDR5X 64Gb x32 8533Mbps FBGA | Samsung

K3KL9L90DM-MGCU - LPDDR5X 64Gb x32 8533Mbps FBGA | Samsung

K3KL9L90DM-MGCU ✓ Activo
Samsung Electronics
K3KLALA0DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K3KL9L90DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $66,40 $0,00
Tipo de memoria LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Total Density 64 Gbit (8 GB) —
Organización de memoria x32 [DATA_NEEDED: die organization x16/x32]
Velocidad de datos 8533 Mbps per pin —
Encapsulado 315-ball FBGA 315-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
I/O Voltage Class [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
Core Supply [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Standard JEDEC LPDDR5X (LPDDR5 family) —
Channel Configuration 32-bit channel —
Speed Class Designator LPDDR5X-8533 —
Density per Die 16 Gbit per channel density (per distributor data) —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer Samsung Electronics —
Density — 16 Gbit (2 GB) per die
Maximum Data Rate — 6400 Mbps per pin
Interfaz — LPDDR5X (LPDDR5X-class channel)
Supply Voltage - Core (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 voltage]
Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Speed Grade Suffix — MGCU (6400 Mbps class)
Grade — Mobile / Low Power Mobile Grade
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch mm]
Place of Origin — Johor, Malaysia (per distributor listing)
DRAM Process — Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family)

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