K4A4G045WD-BCPB vs K4A4G085WD-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G045WD-BCPB por Samsung Electronics y K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G045WD-BCPB | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,20 | $3,58 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 4 | 512M x 8 |
| Speed Class | DDR4-2133 (PC2133) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4 parallel, double data rate | Parallel |
| Die Generation | D-die | — |
| Encapsulado | 78-ball TFBGA (FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Terminal Form | Ball (BGA) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Burst Length | 8 (per Samsung DDR4 SDRAM datasheet Rev. 1.1) | — |
| Speed Bin Notation | CL-tRCD-tRP order (per Samsung ordering information) | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G045WD / K4A4G085WD family) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval 1x/2x/4x support] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Velocidad de datos | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |