K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCPB por Samsung Electronics y K4A4G085WD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCPB | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $2,05 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | D-die |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (PB) | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Estado RoHS | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Sin halógenos | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Velocidad de datos | — | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| Tipo de interfaz | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |