K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G085WD-BCPB от Samsung Electronics и K4A4G085WD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A4G085WD-BCPB | K4A4G085WD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $2,05 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | D-die |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Интерфейс | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Корпус | FBGA-78 (PB) | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Статус RoHS | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Без галогенов | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Скорость передачи данных | — | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (example) | — | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC |
| Тип интерфейса | — | DDR4 (double data rate, source-synchronous) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| ODT | — | On-Die Termination (built-in) |
| CAS Latency (typical) | — | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |