K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WG-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WE-BCTD por Samsung Electronics y K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WG-BCWE
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $11,38 $16,90
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Tamaño de memoria 4 Gbit 4 Gbit
Memory Organization 256M x 16 256M x 16
Interfaz Parallel, x16 Parallel
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Die Generation E-die —
Encapsulado FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Terminal Count 96 —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0C to +85C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Speed Grade [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] —
Estado RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant (per JLCPCB listing)
Product Status Active Active
Datasheet Revision K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 —
Burst Length BL8 (JEDEC DDR4) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4) —
Velocidad de datos — 3200 Mbps
Access Time — 19 ns
Tensión de alimentación — 1.2 V
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

Hojas de datos y recursos

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