K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WG-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,38 | $16,90 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel, x16 | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | Active | Active |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Débit de données | — | 3200 Mbps |
| Access Time | — | 19 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |