K4A4G165WF-BCRC vs K4A4G165WD-BCPB Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WF-BCRC por Samsung Electronics y K4A4G165WD-BCPB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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K4A4G165WF-BCRC K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC ✓ Activo
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K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WF-BCRC K4A4G165WD-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $17,08 $3,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Speed Grade DDR4-2400 —
Tensión de alimentación 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Encapsulado FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Die Type Samsung 4Gb F-die —
Bank / Bank Group Architecture 8 banks, bank groups —
Data Mask Supported (DM) —
CRC / CA Parity Supported —
ZQ Calibration Supported —
Dynamic ODT Supported —
Auto Precharge Supported —
Asynchronous Reset Supported —
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant (lead-free suffix)
Velocidad de datos — 2133 MT/s
Core Voltage — 1.2 V
Die Generation — D-die
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin]
Burst Length — 8 (BL8, fixed/chop)
Interfaz — DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe)
Pb-Free — Yes (per Samsung part-numbering suffix)
Refresh — Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features)

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